Basics of VLSI Design
6.4 10
v7 by Engineering Apps
關於 Basics of VLSI Design
Basics of VLSI Design（包名：com.faadooengineers.free_vlsidesign）開發者是Engineering Apps，Basics of VLSI Design的最新版本7更新時間為2021年03月24日。Basics of VLSI Design的分類是教育。您可以查看Basics of VLSI Design的開發者下的所有應用並找到Basics of VLSI Design在安卓上的19個相似應用。目前這個應用免費。該應用可以從APKFab或Google Play下載到Android 4.1+。APKFab.com的所有APK/XAPK文檔都是原始文檔並且100%安全下載的資源。
該應用程序是VLSI的完全自由使用手冊圖表和圖形。它是電子及通信工程教育帶來重要的主題，筆記，新聞和博客關於這個問題的一部分。下載App作為快速參考指南和電子書在這個電子與通信工程學科。
該應用程序涵蓋了詳細的90多個主題VLSI設計。這些主題在5個單位劃分。
你可以很容易地通過，並在你的考試或面試成功，應用程序提供了快速修改和參考像一個詳細的閃存卡的主題。
每個主題都配有圖表，方程式等形式，為便於理解的圖形表示。一些在此應用中涉及的主題有：
1.半導體存儲器：介紹和類型
2，只讀存儲器（ROM）
3.三個晶體管DRAM單元
4.一個晶體管DRAM單元
5.閃存
6.低 - 功耗CMOS邏輯電路：簡介
7. CMOS反相器的設計
8. MOS逆變器：介紹開關特性
9.基於掃描技術
10.內置自測試（BIST）技術
11.歷史前瞻性VLSI設計：摩爾定律
12. CMOS數字電路類型分類
13.電路設計實例
14. VLSI設計方法
15. VLSI設計流程
16.設計層次
17.規律性，模塊化和局部性的概念
18. CMOS製造
19.製作工藝流程：基本步驟
20.製備nMOS晶體管的
21. CMOS製造：P阱工藝
22. CMOS製造：N阱工藝
23. CMOS製造：雙桶過程
24.棒圖和掩膜版圖設計
25. MOS晶體管：物理結構
在外部偏置26 MOS系統
27.結構和MOSFET的操作
28.閾值電壓
MOSFET的電流29.電壓特性
30.場效應管結垢
縮放31.影響
32.小尺寸效應
33. MOS的電容
34. MOS逆變器
35.電壓傳輸特性MOS逆變器（VTC）
36.逆變器與n型MOSFET負載
37.阻性負載變頻器
耗盡型負載逆變器38設計
39. CMOS反相器
40.延遲時間定義
41.計算延遲時間
42.逆變器設計與延遲約束：例
43.組合MOS邏輯電路：介紹
44. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：雙輸入或非門
45. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：廣義NOR結構多輸入
46. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：NOR門電路的瞬態分析
47. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：雙輸入與非門
48. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：廣義NAND結構多輸入
49. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：與非門的瞬態分析
50. CMOS邏輯電路：NOR2（兩個輸入NOR）門
51. CMOS NAND2（兩個輸入NAND）門
簡單的CMOS邏輯門的52佈局
53.複雜的邏輯電路
54.複雜的CMOS邏輯門
複雜的CMOS邏輯門的55佈局
56. AOI和OAI蓋茨
57.偽nMOS的門
58. CMOS全加器電路及紋波進行加法
59. CMOS傳輸門（通門）
60.互補通 - 晶體管邏輯（CPL）
61. MOS時序邏輯電路：簡介
62.行為雙穩態元素
63. SR鎖存電路
64.時鐘控制SR鎖存器
65.時鐘控制JK鎖存
66.主從觸發器
67. CMOS D鎖存器和邊沿觸發觸發器
68.動態邏輯電路：簡介
通晶體管電路69.基本原則
所有的話題都沒有列出，因為Play商店設置字符限制的。
該應用程序涵蓋了詳細的90多個主題VLSI設計。這些主題在5個單位劃分。
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每個主題都配有圖表，方程式等形式，為便於理解的圖形表示。一些在此應用中涉及的主題有：
1.半導體存儲器：介紹和類型
2，只讀存儲器（ROM）
3.三個晶體管DRAM單元
4.一個晶體管DRAM單元
5.閃存
6.低 - 功耗CMOS邏輯電路：簡介
7. CMOS反相器的設計
8. MOS逆變器：介紹開關特性
9.基於掃描技術
10.內置自測試（BIST）技術
11.歷史前瞻性VLSI設計：摩爾定律
12. CMOS數字電路類型分類
13.電路設計實例
14. VLSI設計方法
15. VLSI設計流程
16.設計層次
17.規律性，模塊化和局部性的概念
18. CMOS製造
19.製作工藝流程：基本步驟
20.製備nMOS晶體管的
21. CMOS製造：P阱工藝
22. CMOS製造：N阱工藝
23. CMOS製造：雙桶過程
24.棒圖和掩膜版圖設計
25. MOS晶體管：物理結構
在外部偏置26 MOS系統
27.結構和MOSFET的操作
28.閾值電壓
MOSFET的電流29.電壓特性
30.場效應管結垢
縮放31.影響
32.小尺寸效應
33. MOS的電容
34. MOS逆變器
35.電壓傳輸特性MOS逆變器（VTC）
36.逆變器與n型MOSFET負載
37.阻性負載變頻器
耗盡型負載逆變器38設計
39. CMOS反相器
40.延遲時間定義
41.計算延遲時間
42.逆變器設計與延遲約束：例
43.組合MOS邏輯電路：介紹
44. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：雙輸入或非門
45. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：廣義NOR結構多輸入
46. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：NOR門電路的瞬態分析
47. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：雙輸入與非門
48. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：廣義NAND結構多輸入
49. MOS邏輯電路枯竭的nMOS負載：與非門的瞬態分析
50. CMOS邏輯電路：NOR2（兩個輸入NOR）門
51. CMOS NAND2（兩個輸入NAND）門
簡單的CMOS邏輯門的52佈局
53.複雜的邏輯電路
54.複雜的CMOS邏輯門
複雜的CMOS邏輯門的55佈局
56. AOI和OAI蓋茨
57.偽nMOS的門
58. CMOS全加器電路及紋波進行加法
59. CMOS傳輸門（通門）
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Basics of VLSI Design
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